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  • 2N6660X-JQR-B
  • 八零友創集團

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    0755-88917717/88917797/88279729███【堅持原裝正品】████

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2N6661產品參數

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

詳細描述:通孔 N 溝道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包裝:管件

零件狀態:停產

FET 類型:N 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):90V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):725mW(Ta),6.25W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-39

封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

標準包裝:100

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:含鉛 / 不符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)

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