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SI9424BDY-T1-E3產品參數

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

詳細描述:表面貼裝 P 溝道 20V 5.6A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET?

包裝:帶卷(TR)

零件狀態:停產

FET 類型:P 溝道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):20V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.6A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 7.1A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±9V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.25W(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

供應商器件封裝:8-SO

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

標準包裝:2,500

其它名稱:SI9424BDY-T1-E3TR SI9424BDYT1E3

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)

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